مرکز اطلاعات بترجم
ارائه محتوای ترجمه تخصصی

ترجمه تخصصی مقالات برق – مراحل تجزیه و تحلیل تغییرات تولید CNFET چگونه انجام میشود؟بخش دوم

3.2 :روش تجزیه و تحلیل تغییرات تولید CNFET

0 73

همانطور که گفتیم تکنولوژی CNFET شامل زیربخش هایی میباشد،در این بخش به چگونگی مراحل تجزیه و تحلیل تغییرات تولید CNFET که در مورد ترجمه تخصصی مقالات برق میباشد ، میپردازیم.

یک روش تجزیه و تحلیل بر اساس یک اسکریپت از نرم افزار MATLAB ، برای آنالیز متغیر بودن ویژگی های ترانزیستور و پارامترها به علت نقص های ساخت CNFET که در زیر آمده است، استفاده شده است:

(i) تغییر در قطر CNT؛

(۲) تغییر در چگالی CNT به دلیل فاصله غیریکنواخت بین CNT های موازی در CNFET های چند کاناله؛

(iii) حضور m-CNT در ترانزیستور؛

(iv) تغییرات در تغلیظ CNT.

این پژوهش CNT های با جایابی نادرست را در نظر نگرفته است زیرا مدارهای CNFET به شکلی توسعه یافته اند که در برابر آنها ایمن هستند و تماس های CNT-فلزبه صورت اهمی فرض شده اند.

متدولوژی تغییرات CNFET برای سناریوهای مختلف مناسب است: (i) حذف m-CNT؛(ii) فرآیندهای حذف غیر ایده آل m-CNT که در آن بعضی از S-CNT ها و تمام یا تقریبا تمام m-CNT ها حذف می شوندو (iii) تکنیک های حذف ایده آل m-CNT که تمام m-CNT ها را حذف می کند اما تمام S-CNT ها دست نخورده باقی می مانند.

شکل ۱ و جدول ۱ به ترتیب ساختار اسکریپت MATLAB و توزیع پارامترهای متغیر را نشان می دهند.

در مراحل استخراج نمونه CNFET، در مرحله ۱، تعداد CNT ها یعنی N در ترانزیستور برای عرض داده شده (Wgate) و توزیع گام (P) بدست می آید. با یک احتمال داده شده، نسبت m-CNT ها و s-CNT ها به دست می آیند که در آن CNT فلزی (pm) و برای قطر داده شده (D) و توزیع تغلیظ (Dop) است. در مرحله ۳، تعداد نهایی CNT ها بر اساس (n) تعیین می شود.

    شبیه سازی مونت کارلو با استفاده از اسکریپت MATLAB

 

ترجمه تخصصی مقالات برق
                         توزیع های استفاده شده در شکل ۱ و سناریوهای ۴ و ۵ (CNFET , ترجمه تخصصی مقالات برق )

در مرحله ۳، تعداد نهایی CNT ها (n) بر اساس احتمال اینکه CNT حذف شده و با داشتن اطلاعات m-CNT یا s-CNT بودن آن تعیین می شود.   سپس گام های CNT های باقی مانده دوباره محاسبه می شود. از این رو، نتیجه مرحله استخراج نمونه CNFET، نمونه ای از CNFET n-tube با مخلوطی از m-CNTs و s-CNT با قطرها، سطوح تغلیظ S / D فاصله درون CNT مختلف است.

در شبیه سازی نمونه CNFET و فاز های تجزیه و تحلیل نمونه CNFET، ویژگی های I-V نمونه n-tube CNFET بدست آمد. این کار از طریق جمع زدن اجزای فعلی n IDS (هر CNT که CNFET را تشکیل می دهد) و با استفاده از مدل دانشگاه استنفورد و با در نظر گرفتن اثرات نمایش بار و موقعیت لوله در ترانزیستور (لبه یا وسط) به دست آمده است (شکل ۱). توجه داشته باشید که برای CNFET با CNT های موازی چندگانه و گام درون CNT کوچکتر از ۲۰ نانومتر، اثرات نمایش CNT-to-CNT بر روی هر دو ظرفیت الکترواستاتیک گیت به کانال و جریان درایو تاثیر می گذارد.

 

۳.۳نتایج شبیه سازی ( CNFET , ترجمه تخصصی مقالات برق )

با استفاده از روش توصیف شده در بخش قبلی، ما ۱۰،۰۰۰ مونت کارلو (MC) برای یک CNFET چند کاناله با میانگین N = 7 و برای سه مورد از حذف m -CNT ها شبیه سازی نموده ایم:

  1. بدون حذف m-CNT (pmR = psR = ۰%)
  2. تکنیک حذف غیر ایده آل m-CNT: تمام m-CNTs و برخی از s-CNT ها حذف می شوند (pmR = ۱۰۰٪ و psR = ۱۰-۴۰٪) یا فقط بخش کوچکی از m-CNT ها باقی می ماند (pmR = ۹۹ : ۹۹٪ و psR = ۱۰-۴۰٪).
  3. تکنیک حذف ایده آل m-CNT (pmR = ۱۰۰٪ و psR = ۰٪).

علاوه بر این، برای هر سناریو حذف m-CNT، ما چهار احتمال مختلف m-CNT را در نظر گرفتیم: pm = 33٪ (روش های رشد CNT معمولی) و pm = ۱۰٪؛ pm = ۵٪ و pm = ۱٪ (روشهای سنتز توسعه یافته CNT و تکنیک های خود مرتب سازی).

خصوصیات جاری (IDS -VDS و IDS -VGS) برای سناریوهای حذف m-CNT (1) و (۳) و برای بدترین حالت احتمال m-CNT (pm = ۳۳%) در شکل ۲ نشان داده شده است. منحنی های I-V برای مورد ۲ به دلیل شباهت آنها (۱) به آورده نشده اند. نتایج این شبیه سازی در بخش های بعدی تجزیه و تحلیل خواهد شد.

ترجمه تخصصی مقالات برق - CNFET
ترجمه تخصصی مقالات برق – CNFET

شکل ۲: ویژگی های CNFET I-V برای CNFET N-TYPE و pm = 33٪ زمانی که هیچ یک از تکنیک های حذف m-CNT استفاده نمی شود (a و b) و وقتی روش ایده آل حذف m-CNT در نظر گرفته می شود (c و d). منحنی های ۱۰،۰۰۰ دستگاه شبیه سازی شده (منحنی مشکی) همراه با میانگین CNFET های عملکردی (منحنی قرمز) نشان داده شده است. خط سبز در (b) تنگه های کامل است در حالی که خط آبی در (d) باز می باشد.

توزیع های احتمالی ION و IOFF هنگامی که m-CNT ها حذف نمی شوند و هنگامی که یک فرایند حذف ایده آل m-CNT در نظر گرفته می شود، در شکل ۳ نشان داده شده است. این نمودارها مکمل ویژگی های فعلی I-V که در شکل های قبلی و داده های جدول ۲ آمده است، هستند.

تجزیه و تحلیل تغییرپذیری (ترجمه تخصصی مقالات برق )

میانگین و انحراف معیار برای چند پارامتر کلیدی ترانزیستور ION؛ ION / IOFF و VTH (جدول ۲). براساس توزیع فعلی IDS -VGS با روش های تغییر تولید CNFET که در بخش ۳.۳ ارائه شده است و با توجه به تکنیک حذف ایده آل m-CNT، صرف نظر از ترانزیستورهای عملکردی محاسبه شده است.

با در نظر گرفتن رفتار و در مقابل Pm، می توان دید که در مورد ION، با کاهش Pm میانگین به طور متوسط افزایش می یابد در حالی که STD کاهش می یابد. برای ION = IOFF، میانگین و STD با کاهش Pm ، به آرامی کاهش می یابند. در نهایت، VTH برای هر چهار Pm ثابت باقی می ماند، زیرا در این مطالعه، این پارامتر صرفا تحت تاثیر قطر در نظر گرفته می شود. با این حال، از لحاظ تغییرپذیری، پارامترهای ION و ION / IOFF به شدت تحت تاثیر تغییرات تعداد CNT قرار می گیرند و به مقادیر متغیر (۳) بین ۴۶.۹۸٪ و ۱۸۵.۶۷٪ (pm = 33٪) و ۲۴.۸۹٪ و ۹۶.۸۱٪ (pm = 1٪) دست می یابند.

ولتاژ آستانه نوسانات نسبتا متعادل تری در حدود ۱۲٪ را نشان می دهد.

 

                                توزیع های احتمالی ION و IOFF

 

شکل ۳: توزیع های احتمالی ION و IOFF زمانی که هیچ یک از تکنیک های حذف m-CNT استفاده نمی شود و برای pm = ۳۳٪ هنگامی که تکنیک حذف ایده آل m-CNT برای چهار Pms مختلف در نظر گرفته می شود (c و d).

 

ارسال سفارش ترجمه تخصصی مقالات برق : www.betarjom.com

منبع: Variability and reliability analysis of CNFET technology: Impact of manufacturing imperfections

مطالعه بخش مقالات در مرکز اطلاعات بترجم : http://mag.betarjom.com/category/text-translate/articles-translate/

ارسال یک پاسخ

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

2 × چهار =